gravius

自由時報 2023/05/01  被稱為「台版晶片法案」的《產業創新條例第10條之2》今年1月立法院通過，相關門檻細節的子法今日預告，研發費用60億元、研發密度達6%、先進製程之設備購置支出達100億元為申請門檻。經濟部表示，子法草案自今年5月1日起預告30日，預告期間為廣納意見，將舉辦產業座談會與業界交流。7 u; V% q$ h, x: ]. }

( H$ M$ b  l5 w& l- p, k$ f9 ?# D4 D面對全球各國吸引半導體產業落地的補助方案，為鞏固我國居國際供應鏈關鍵地位，經濟部去年研擬產創條例10之2，並在今年1月立法院修正通過，但攸關申請門檻的研發規模、研發密度及設備規模等，待須子法確定後才會拍板。
, p/ F# M$ m  d6 a; b6 M; h
3 ?) K  E: I3 P3 o/ u. |$ p產業創新條例第10條之2的適用對象不限半導體產業，凡是技術創新且居國際供應鏈關鍵地位者符合要件也可適用，如電動車、5G、低軌衛星等。
, N# ^% R# S/ n* s/ ]2 }/ M
8 }) y: l2 G9 N4 ~7 ^, F! x& V產創10之2被冠以「史上最大投抵優惠」，投抵項目共有兩種，1是前瞻創新研發投抵，抵減率為當年度研發支出的25%，意即研發支出的25%，可抵減當年度應納營利事業所得稅額；2是購置用於先進製程的設備投抵，抵減率為設備支出5%，設備購置支出金額無上限；但申請個別一項不得超過其當年度應納營所稅額30％，兩者合計抵減稅額不得超過當年度應納營所稅額50%。
& \6 p% j$ Z5 v' D0 X2 x% `1 T; B$ [# n2 q% M- |* @
經濟部表示，考量國家關鍵產業發展，兼顧稅制穩定的前提下，與財政部密切協商後，已定出子法草案，規劃研發費用達60億元、研發密度達6%、購置用於先進製程之設備支出達100億元為申請門檻，期能鼓勵公司深耕台灣，加碼投資；另由於母法中已訂定有效稅率12％，以及未來15％的基礎，因此也可促使未達到此稅率基礎的業者努力達成，穩定國家稅收。
8 m$ z1 `, S/ }- H) R3 t' Z5 \2 I7 L! i) P
經濟部表示，未符合前述適用條件的公司，亦可申請產創條例第10條研發投資抵減及第10條之1智慧機械投資抵減。
& a5 \" P9 Q( q7 ]( v' g& _, \9 q9 |! y$ V
經濟部說明，相關門檻的訂定，主要考慮業界實況，希望促使已接近適用門檻的業者，更能擴大研發以適用租稅優惠，並兼顧國內產業發展現況與特性，也參考上市、上櫃公司研發投入及設備投資情形。
( A- `4 |$ }9 ~, L8 y3 O- E
$ d; ^& Z/ m' f" M* K; ~經濟部表示，為廣納意見，經濟部將舉辦產業座談會，說明本辦法相關條文內容與意見交流，綜整各界意見後將儘快與財政部發布，以利公司明年開始申請適用。