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[轉貼] 聯電去年研發費用130億 22奈米技術成果顯現

聯電去年研發費用130億 22奈米技術成果顯現

自由時報 2023/04/27 晶圓代工廠聯(2303)董事長洪嘉聰表示,聯電去年投注研發費用達新臺幣130億元新高,持續開發 5G 通訊、人工智慧、物聯網、車用電子等應用所需的製程技術,達成多項重要成果,除了28奈米HPC+高效能運算影像訊號處理器 (ISP) 技術成功導入量產;22奈米 25V高壓的低溫多晶氧化物面板 (LTPO OLED) 顯示驅動晶片產品已完成驗證,預計於今年導入試產。
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3 Q8 T  J' P( A/ `& W  p洪嘉聰在公司年報中指出,28HPC+高效能運算影像訊號處理器 (ISP) 技術,已應用於當前業界最高階的2億畫素行動影像感測器及最小尺寸畫素的產品,並成功導入量產。
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7 W- [( t( b( J% E+ |+ S, s此外,聯電在28HPC+ 毫米波 (mmWave) 解決方案已通過驗證,適合應用於高速毫米波設備,可支援高達110GHz 的電路設計應用。在 22奈米製程平台架構下,已順利建置完成車用Grade-1 平台設計規範,並完成可靠度及耐久性驗證。22奈米影像訊號處理器 (ISP) 技術目前已完成元件模型與設計規範以及相關矽智財的建置。14 奈米(14FFC) 製程技術已可廣泛應用在各種邏輯/類比/混合訊號/射頻技術等高端電子產品上。
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1 N& n0 A, R( y* {$ l8 ~% y在特殊技術製程方面,洪嘉聰指出,聯電領先業界運用12 吋晶圓生產 RFSOI,全球市占率已達 18%。22 奈米 RFSOI 目前已進入開發階段,前瞻佈局未來應用於40GHz 以上的市場提供從180 奈米至 22奈米的 eNVM 特殊製程與相關 IP配套方案,應用於物聯網、車用電子、工業控制及各種 3C 產品。22奈米磁阻記憶體 (MRAM) 製程應用於航太的高密度 1Gb 晶片產品已進入試產階段。, Y% m. ^3 }# E( E9 t3 x# `

1 C9 @6 [: }- H( \& x$ [/ @聯電在 LCD 螢幕的顯示驅動晶片 (DDI) 市占率排名全球第一,也是首家提供28奈米 OLED DDI 製程進行量產的晶圓代工廠。22奈米 25V 高壓的低溫多晶氧化物面板 (LTPO OLED) 顯示驅動晶片產品已完成驗證,預計於今年導入試產。BCD 製程可提供電源管理晶片 (PMIC)所需的各種高壓運作能力,0.11微米嵌入非揮發性記憶體 BCD 功率積體電路技術平台的 PMIC 製程技術已完成元件模型、設計規範,以及車用平台的矽智財建置。3D-IC 晶圓級直接鍵合 (W2W hybrid bonding) 技術,已完成客戶的產品驗證,預計於今年導入試產- y6 @$ S6 O4 }7 a) ]/ M. g! v
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洪嘉聰表示,聯電未來仍將持續深耕差異化的特殊製程技術、產地多元化的製造能力,並深化與關鍵客戶的關係,期能持續以前瞻性的永續佈局,創造最大股東價值。3 W2 K$ X9 \; y

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[發帖際遇]: gravius獲得大福神眷顧獲得遊戲幣250元。
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