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[轉貼] 聯電去年研發費用130億 22奈米技術成果顯現

聯電去年研發費用130億 22奈米技術成果顯現

自由時報 2023/04/27 晶圓代工廠聯(2303)董事長洪嘉聰表示,聯電去年投注研發費用達新臺幣130億元新高,持續開發 5G 通訊、人工智慧、物聯網、車用電子等應用所需的製程技術,達成多項重要成果,除了28奈米HPC+高效能運算影像訊號處理器 (ISP) 技術成功導入量產;22奈米 25V高壓的低溫多晶氧化物面板 (LTPO OLED) 顯示驅動晶片產品已完成驗證,預計於今年導入試產。# V9 f- `* I" u( L1 P/ ~

! I% m, x  {+ \+ ]4 z( r洪嘉聰在公司年報中指出,28HPC+高效能運算影像訊號處理器 (ISP) 技術,已應用於當前業界最高階的2億畫素行動影像感測器及最小尺寸畫素的產品,並成功導入量產。
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! ^/ i" l: @- h7 |- J此外,聯電在28HPC+ 毫米波 (mmWave) 解決方案已通過驗證,適合應用於高速毫米波設備,可支援高達110GHz 的電路設計應用。在 22奈米製程平台架構下,已順利建置完成車用Grade-1 平台設計規範,並完成可靠度及耐久性驗證。22奈米影像訊號處理器 (ISP) 技術目前已完成元件模型與設計規範以及相關矽智財的建置。14 奈米(14FFC) 製程技術已可廣泛應用在各種邏輯/類比/混合訊號/射頻技術等高端電子產品上。
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* s8 j0 D2 f  L/ u' ?在特殊技術製程方面,洪嘉聰指出,聯電領先業界運用12 吋晶圓生產 RFSOI,全球市占率已達 18%。22 奈米 RFSOI 目前已進入開發階段,前瞻佈局未來應用於40GHz 以上的市場提供從180 奈米至 22奈米的 eNVM 特殊製程與相關 IP配套方案,應用於物聯網、車用電子、工業控制及各種 3C 產品。22奈米磁阻記憶體 (MRAM) 製程應用於航太的高密度 1Gb 晶片產品已進入試產階段。% y4 L3 t7 d2 v% H- M7 t3 R: `2 ~
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聯電在 LCD 螢幕的顯示驅動晶片 (DDI) 市占率排名全球第一,也是首家提供28奈米 OLED DDI 製程進行量產的晶圓代工廠。22奈米 25V 高壓的低溫多晶氧化物面板 (LTPO OLED) 顯示驅動晶片產品已完成驗證,預計於今年導入試產。BCD 製程可提供電源管理晶片 (PMIC)所需的各種高壓運作能力,0.11微米嵌入非揮發性記憶體 BCD 功率積體電路技術平台的 PMIC 製程技術已完成元件模型、設計規範,以及車用平台的矽智財建置。3D-IC 晶圓級直接鍵合 (W2W hybrid bonding) 技術,已完成客戶的產品驗證,預計於今年導入試產
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洪嘉聰表示,聯電未來仍將持續深耕差異化的特殊製程技術、產地多元化的製造能力,並深化與關鍵客戶的關係,期能持續以前瞻性的永續佈局,創造最大股東價值。; T. k# ]' }+ ~8 ]! S+ h

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