自由時報 2023/04/27 晶圓代工廠聯（2303）董事長洪嘉聰表示，聯電去年投注研發費用達新臺幣130億元新高，持續開發 5G 通訊、人工智慧、物聯網、車用電子等應用所需的製程技術，達成多項重要成果，除了28奈米HPC+高效能運算影像訊號處理器 （ISP） 技術成功導入量產；22奈米 25V高壓的低溫多晶氧化物面板 （LTPO OLED） 顯示驅動晶片產品已完成驗證，預計於今年導入試產。
r' H8 P5 }! a9 s, `7 c" P- C3 X' D7 Y
洪嘉聰在公司年報中指出，28HPC+高效能運算影像訊號處理器 （ISP） 技術，已應用於當前業界最高階的2億畫素行動影像感測器及最小尺寸畫素的產品，並成功導入量產。
! u* u# C7 w" `' ]% k* m0 L+ j+ j& Y9 H3 g& R& Y# o
此外，聯電在28HPC+ 毫米波 （mmWave） 解決方案已通過驗證，適合應用於高速毫米波設備，可支援高達110GHz 的電路設計應用。在 22奈米製程平台架構下，已順利建置完成車用Grade-1 平台設計規範，並完成可靠度及耐久性驗證。22奈米影像訊號處理器 （ISP） 技術目前已完成元件模型與設計規範以及相關矽智財的建置。14 奈米（14FFC） 製程技術已可廣泛應用在各種邏輯/類比/混合訊號/射頻技術等高端電子產品上。
. }$ H9 y" }' d: Y; a
2 t! ~$ Z4 n1 F# [( x* j- G8 x在特殊技術製程方面，洪嘉聰指出，聯電領先業界運用12 吋晶圓生產 RFSOI，全球市占率已達 18%。22 奈米 RFSOI 目前已進入開發階段，前瞻佈局未來應用於40GHz 以上的市場提供從180 奈米至 22奈米的 eNVM 特殊製程與相關 IP配套方案，應用於物聯網、車用電子、工業控制及各種 3C 產品。22奈米磁阻記憶體 （MRAM） 製程應用於航太的高密度 1Gb 晶片產品已進入試產階段。
2 ~- t3 u z, ?% g# W
7 m1 {' b( b4 g1 h聯電在 LCD 螢幕的顯示驅動晶片 （DDI） 市占率排名全球第一，也是首家提供28奈米 OLED DDI 製程進行量產的晶圓代工廠。22奈米 25V 高壓的低溫多晶氧化物面板 （LTPO OLED） 顯示驅動晶片產品已完成驗證，預計於今年導入試產。BCD 製程可提供電源管理晶片 （PMIC）所需的各種高壓運作能力，0.11微米嵌入非揮發性記憶體 BCD 功率積體電路技術平台的 PMIC 製程技術已完成元件模型、設計規範，以及車用平台的矽智財建置。3D-IC 晶圓級直接鍵合 （W2W hybrid bonding） 技術，已完成客戶的產品驗證，預計於今年導入試產
1 L. _. ^& i) N
( f/ H, V b7 X0 e G
洪嘉聰表示，聯電未來仍將持續深耕差異化的特殊製程技術、產地多元化的製造能力，並深化與關鍵客戶的關係，期能持續以前瞻性的永續佈局，創造最大股東價值。
! Q4 {9 h* q3 L9 n! G' W: C! v/ E6 K; G* l/ v
