gravius

自由時報 2023/05/01  被稱為「台版晶片法案」的《產業創新條例第10條之2》今年1月立法院通過，相關門檻細節的子法今日預告，研發費用60億元、研發密度達6%、先進製程之設備購置支出達100億元為申請門檻。經濟部表示，子法草案自今年5月1日起預告30日，預告期間為廣納意見，將舉辦產業座談會與業界交流。+ ?9 z& W% K. f$ p
  y# `' \+ B6 B8 r" ^9 r, t1 B
面對全球各國吸引半導體產業落地的補助方案，為鞏固我國居國際供應鏈關鍵地位，經濟部去年研擬產創條例10之2，並在今年1月立法院修正通過，但攸關申請門檻的研發規模、研發密度及設備規模等，待須子法確定後才會拍板。
; C2 S( f9 y4 p9 v5 F+ \) X& q- @% K- ~$ ^) d+ N8 a5 g$ _# V
產業創新條例第10條之2的適用對象不限半導體產業，凡是技術創新且居國際供應鏈關鍵地位者符合要件也可適用，如電動車、5G、低軌衛星等。3 l/ p# n% E3 Z( V
1 p3 {- ?3 M, p* r( n
產創10之2被冠以「史上最大投抵優惠」，投抵項目共有兩種，1是前瞻創新研發投抵，抵減率為當年度研發支出的25%，意即研發支出的25%，可抵減當年度應納營利事業所得稅額；2是購置用於先進製程的設備投抵，抵減率為設備支出5%，設備購置支出金額無上限；但申請個別一項不得超過其當年度應納營所稅額30％，兩者合計抵減稅額不得超過當年度應納營所稅額50%。, r0 _8 c# _/ D7 K6 E% ^" T3 D
' z# j5 p% A0 r/ j0 O
經濟部表示，考量國家關鍵產業發展，兼顧稅制穩定的前提下，與財政部密切協商後，已定出子法草案，規劃研發費用達60億元、研發密度達6%、購置用於先進製程之設備支出達100億元為申請門檻，期能鼓勵公司深耕台灣，加碼投資；另由於母法中已訂定有效稅率12％，以及未來15％的基礎，因此也可促使未達到此稅率基礎的業者努力達成，穩定國家稅收。' O0 C! C, C7 \- [" }8 _( O

& E3 f5 F' u$ G. u; S9 Y# e% q經濟部表示，未符合前述適用條件的公司，亦可申請產創條例第10條研發投資抵減及第10條之1智慧機械投資抵減。
9 }$ |& ^/ G$ }, H8 A! ^" S% V; m" r( T0 I6 b) B. w; {
經濟部說明，相關門檻的訂定，主要考慮業界實況，希望促使已接近適用門檻的業者，更能擴大研發以適用租稅優惠，並兼顧國內產業發展現況與特性，也參考上市、上櫃公司研發投入及設備投資情形。
5 K& I7 x' m* v( L+ r# ~5 {& _/ @
- V& k; Y. w* ]經濟部表示，為廣納意見，經濟部將舉辦產業座談會，說明本辦法相關條文內容與意見交流，綜整各界意見後將儘快與財政部發布，以利公司明年開始申請適用。