中山大學研發6吋碳化矽晶體 技轉助攻MIT次世代半導體
自由時報 2023/07/19 國立中山大學晶體研究中心是台灣唯一能生長次世代半導體碳化矽（SiC）的實驗室，並已率先成功生長出直徑6吋的碳化矽晶體塊材，今年7月起技轉台灣應用晶體公司及其所屬集團，簽訂5年5000萬元技術移轉案，助攻台灣半導體材料領航優勢。
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次世代（第3類）半導體材料碳化矽SiC具備低耗損、高功率、低雜訊、散熱佳等不可取代的特性，但晶體生長的技術門檻高，在全球面臨晶片短缺之際，長晶速度與穩定品質成為決勝關鍵。
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" r4 k! Z) A3 ? N2 \8 X 中山大學材料與光電科學學系教授兼晶體研究中心主任周明奇指出，次世代半導體材料碳化矽晶體是國家的重要戰略物資，可多元應用於電動車、光電、衛星通訊、國防、生醫等領域，中山大學團隊創全國學研單位之先，已取得晶體生長關鍵突破，成功生長6吋導電型（n-type）4H碳化矽單晶，並在品質穩定、生長速度等面向持續優化。8 H* }$ M$ Y! s$ V) ~' o
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周明奇說，在研發過程中，團隊攜手台灣企業共同創新，例如長晶設備包括電源供應器及電腦控制系統等軟硬體100%MIT，長晶爐是由中山大學創新育成中心孵化的企業所打造，坩堝（存放碳化矽原物料的容器）及石墨等隔熱材料更有賴在地企業中鋼、中碳的應援。
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周明奇表示，今年7月起，中山大學將6吋碳化矽晶體相關技術移轉至台灣應用晶體公司及其所屬集團，並簽訂5年5000萬的高額技轉案，以每年1千萬專屬授權的買斷合約形式進行，這也代表該集團正式跨入次世代半導體領域。雙方於未來5年在6吋、8吋大尺寸的導電型（n-type）與半絕緣型（Semi-insulating Silicon Carbide; SI.-SiC）4H、6H碳化矽單晶，都將攜手合作。
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除了在次世代半導體材料碳化矽晶體的優勢，中山大學同步研發第4類半導體氧化鎵（Ga2O3）的單晶塊材（Bulk Crystal）。周明奇說，在硬體設備上，中山大學晶體研究中心已有2台6吋長晶爐，將於9月新增1台6吋與2台8寸長晶爐。下一階段有機會導入化工專業領域的集團成為合作夥伴，從半導體產業鏈最上游的稀土原物料純化及廢料處理等創新研發著力，持續協助MIT企業優化產能並提高台灣國際競爭力。
