美國制裁下 長江存儲技術到頂 第2座廠恐停擺
自由時報 2023/01/26 南華早報報導，在美國的出口管制之下，中國最重要的記憶體晶片大廠長江存儲面臨創新難以突破的局面，消息來源透露，由於採購供應鏈的干擾，長江存儲第2座晶圓廠的興建恐遭延遲。/ c$ f& E3 o1 c3 _7 K8 n @) A
8 P0 }5 d7 Y% t, d) t; ?報導說，座落於武漢的長江存儲自2016年成立以來，便是中國在NAND快閃記憶體全球市場上取得突破的希望。如今該希望已破滅。去年12月，美國商務部將長江存儲與其他35家中國實體列入貿易黑名單，限制其採購美國產品與服務。美國當局指控長江存儲供貨給已在黑名單上的華為與監視器大廠海康威視。! L% m3 U8 ?' w# b2 D- s$ A' r( K
! t: j' q7 S% V* M- c晶片專家認為，長江存儲技術精進與量產的能力，將因無法自由取得美國晶片設備與服務而受挫。瑞銀集團亞太技術研究首長Nicolas Gaudois指出，「美國的制裁讓中國記憶體產業非常難以繼續進展；顯然這限制了相關企業提昇先進技術的能力」。2 n! P6 g5 _& L, g! H
) s* k, G4 T8 P+ x- O集邦科技報告指出，「由於無法取得關鍵設備供應商的支持，長江存儲在發展其最先進的3D NAND快閃技術Xtacking 3.0上正面臨重大的技術障礙，特別是提高128層與232層製程良率將極具挑戰」。" u/ r/ n, s9 h% Q( V
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1名業界消息來源說，長江存儲甚至將因採購供應鏈的干擾而被迫延後其第2座晶圓廠的興建。# z( Y g S: e$ H) V, v4 H$ Y/ U4 v
; V1 i" ^2 P. `/ y+ Y6 m7 N: n2 s0 x另1位業界專家指出，長江存儲並不缺少曝光設備，因為在管制實施前已購進一些，其面臨的挑戰是來自科林（Lam Research）等供應商的蝕刻工具，這些工具對複雜的3D NAND晶圓製程至為關鍵，特別是當該公司與對手較勁，以增添疊層，增加儲存密度之際。
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除了生產的衝擊之外，集邦也說，中國之外的NAND快閃記憶體買家現在對於採用長江存儲技術抱持很大保留態度，「由於技術停滯，長江存儲將逐漸喪失其成本競爭力，而其市占率也將持續遭侵蝕」。 E* h7 m" I: a' y: K N
' c; u, \ J9 ]為了避免此命運，集邦科技說，長江存儲或許回過頭來生產2D NAND快閃記憶體，或者轉型成為以成熟製程生產邏輯晶片的供應商。
