自由時報 2023/04/27 晶圓代工廠聯（2303）董事長洪嘉聰表示，聯電去年投注研發費用達新臺幣130億元新高，持續開發 5G 通訊、人工智慧、物聯網、車用電子等應用所需的製程技術，達成多項重要成果，除了28奈米HPC+高效能運算影像訊號處理器 （ISP） 技術成功導入量產；22奈米 25V高壓的低溫多晶氧化物面板 （LTPO OLED） 顯示驅動晶片產品已完成驗證，預計於今年導入試產。
% x: N4 y; ^0 Y6 G, V) {
+ f! p. c) t6 @/ u! }, V3 ]+ J2 _3 a; Z: G洪嘉聰在公司年報中指出，28HPC+高效能運算影像訊號處理器 （ISP） 技術，已應用於當前業界最高階的2億畫素行動影像感測器及最小尺寸畫素的產品，並成功導入量產。
* U4 [$ b# J, Z+ @- W. l/ ?: x( o
. a& L# V2 W4 [& c0 R
此外，聯電在28HPC+ 毫米波 （mmWave） 解決方案已通過驗證，適合應用於高速毫米波設備，可支援高達110GHz 的電路設計應用。在 22奈米製程平台架構下，已順利建置完成車用Grade-1 平台設計規範，並完成可靠度及耐久性驗證。22奈米影像訊號處理器 （ISP） 技術目前已完成元件模型與設計規範以及相關矽智財的建置。14 奈米（14FFC） 製程技術已可廣泛應用在各種邏輯/類比/混合訊號/射頻技術等高端電子產品上。
6 x, _, _; o0 |: u
" K% {7 r' D1 ^+ P' n在特殊技術製程方面，洪嘉聰指出，聯電領先業界運用12 吋晶圓生產 RFSOI，全球市占率已達 18%。22 奈米 RFSOI 目前已進入開發階段，前瞻佈局未來應用於40GHz 以上的市場提供從180 奈米至 22奈米的 eNVM 特殊製程與相關 IP配套方案，應用於物聯網、車用電子、工業控制及各種 3C 產品。22奈米磁阻記憶體 （MRAM） 製程應用於航太的高密度 1Gb 晶片產品已進入試產階段。
' Q1 g) Q/ p8 V
2 ]# T; Q3 a1 e: a) }+ f) Y2 @聯電在 LCD 螢幕的顯示驅動晶片 （DDI） 市占率排名全球第一，也是首家提供28奈米 OLED DDI 製程進行量產的晶圓代工廠。22奈米 25V 高壓的低溫多晶氧化物面板 （LTPO OLED） 顯示驅動晶片產品已完成驗證，預計於今年導入試產。BCD 製程可提供電源管理晶片 （PMIC）所需的各種高壓運作能力，0.11微米嵌入非揮發性記憶體 BCD 功率積體電路技術平台的 PMIC 製程技術已完成元件模型、設計規範，以及車用平台的矽智財建置。3D-IC 晶圓級直接鍵合 （W2W hybrid bonding） 技術，已完成客戶的產品驗證，預計於今年導入試產
3 P/ K9 _$ D+ ?# X% S9 n, M m2 s8 J3 k# b
洪嘉聰表示，聯電未來仍將持續深耕差異化的特殊製程技術、產地多元化的製造能力，並深化與關鍵客戶的關係，期能持續以前瞻性的永續佈局，創造最大股東價值。
- `! v4 ?+ p( B6 g1 u) ^
4 b# Y0 W5 f) N/ ~% S2 M# C5 J+ p8 v
