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標題: [轉貼] 台版晶片法案5/1起預告30日 研發費用門檻60億元 [打印本頁]

作者: gravius    時間: 2023-5-2 05:16     標題: 台版晶片法案5/1起預告30日 研發費用門檻60億元

自由時報 2023/05/01  被稱為「台版晶片法案」的《產業創新條例第10條之2》今年1月立法院通過,相關門檻細節的子法今日預告,研發費用60億元、研發密度達6%、先進製程之設備購置支出達100億元為申請門檻。經濟部表示,子法草案自今年5月1日起預告30日,預告期間為廣納意見,將舉辦產業座談會與業界交流。
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1 m0 \# q- R4 f0 z面對全球各國吸引半導體產業落地的補助方案,為鞏固我國居國際供應鏈關鍵地位,經濟部去年研擬產創條例10之2,並在今年1月立法院修正通過,但攸關申請門檻的研發規模、研發密度及設備規模等,待須子法確定後才會拍板。
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- w6 y2 r( _0 u8 M+ U, ~0 @# @6 b產業創新條例第10條之2的適用對象不限半導體產業,凡是技術創新且居國際供應鏈關鍵地位者符合要件也可適用,如電動車、5G、低軌衛星等。
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產創10之2被冠以「史上最大投抵優惠」,投抵項目共有兩種,1是前瞻創新研發投抵,抵減率為當年度研發支出的25%,意即研發支出的25%,可抵減當年度應納營利事業所得稅額;2是購置用於先進製程的設備投抵,抵減率為設備支出5%,設備購置支出金額無上限;但申請個別一項不得超過其當年度應納營所稅額30%,兩者合計抵減稅額不得超過當年度應納營所稅額50%。$ l( g, B# h& G; d+ Z

0 d& i' Y9 _& _7 J3 [經濟部表示,考量國家關鍵產業發展,兼顧稅制穩定的前提下,與財政部密切協商後,已定出子法草案,規劃研發費用達60億元、研發密度達6%、購置用於先進製程之設備支出達100億元為申請門檻,期能鼓勵公司深耕台灣,加碼投資;另由於母法中已訂定有效稅率12%,以及未來15%的基礎,因此也可促使未達到此稅率基礎的業者努力達成,穩定國家稅收。
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9 R8 v' Q/ E' ]- x經濟部表示,未符合前述適用條件的公司,亦可申請產創條例第10條研發投資抵減及第10條之1智慧機械投資抵減。
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經濟部說明,相關門檻的訂定,主要考慮業界實況,希望促使已接近適用門檻的業者,更能擴大研發以適用租稅優惠,並兼顧國內產業發展現況與特性,也參考上市、上櫃公司研發投入及設備投資情形。
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經濟部表示,為廣納意見,經濟部將舉辦產業座談會,說明本辦法相關條文內容與意見交流,綜整各界意見後將儘快與財政部發布,以利公司明年開始申請適用。




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